高低溫探針臺(tái)主要用于材料電學(xué)表征和測量的微型桌面型電學(xué)測量臺(tái)，是專為晶片、器件和材料（薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導(dǎo)材料、鐵電材料等）提供真空和高低溫測試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測量平臺(tái)。主要用于介電、壓電、鐵電、熱釋電、光電等材料的電學(xué)性能表征和測量，還可以在真空、氣氛環(huán)境下對材料進(jìn)行電學(xué)測量評估，是實(shí)驗(yàn)室測量薄膜材料電學(xué)材料常備工具，廣泛用于高校、科研、航天航空、軍工院所等領(lǐng)域。
性能優(yōu)勢：
1、滿足各種溫度的需求：可以滿足非常高的溫度或非常低的溫度的需求，因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件間會(huì)有相對位移，這時(shí)需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。
2、體積小，穩(wěn)定性高：與傳統(tǒng)探針臺(tái)相比，高低溫真空探針臺(tái)的穩(wěn)定性更高，采用先進(jìn)的技術(shù)工藝，讓探針臺(tái)在工作過程中流暢性更高，平穩(wěn)性更高，從而保證每次實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，這樣實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)果就會(huì)更加準(zhǔn)確，對于企業(yè)快速研發(fā)新產(chǎn)品有很大幫助。
3、成本更低，可兼容直流跟射頻測試的運(yùn)用：與傳統(tǒng)探針臺(tái)相比，高低溫探針臺(tái)采用先進(jìn)的合成材料，成本方面比傳統(tǒng)探針臺(tái)更低，但是功能性都更加強(qiáng)大。
使用范圍：
高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，資料測試，霍爾測試，電磁輸運(yùn)特性等。
